型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC0908NS |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSC0909NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC090N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC090N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 25000 | MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC0906NS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC0904NSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC0902NSI | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 9546 | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |