收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSC0901NS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSC0901NS

Infineon Technologies 8-PowerTDFN 6144
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
参考包装数量:1
参考包装形式:

与BSC0901NS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSC0901NSI Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC0902NS Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000 MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC0902NSI Infineon Technologies 8-PowerTDFN 9546 MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC085N025SG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC084P03NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC084P03NS3EG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSC0901NS参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2800pF @ 15V
功率 - 最大值:69W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别