| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC082N10LSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 7903 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC084P03NS3EG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC084P03NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC085N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC080P03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 15000 | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC080N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 30000 | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC080N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
