| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC060P03NS3EG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 9983 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC067N06LS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 15000 | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC070N10NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC072N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC060N10NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 25000 | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC059N04LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC059N03ST | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
