收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSC050N04LSG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSC050N04LSG

Infineon Technologies 8-PowerTDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSC050N04LSG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSC050NE2LS Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000 MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC052N03LS Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC052N03SG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC050N03MSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 25000 MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC050N03LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 20000 MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC048N025SG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSC050N04LSG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):85A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 27µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3700pF @ 20V
功率 - 最大值:57W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别