型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC032NE2LS |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 9792 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSC034N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC035N04LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC037N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC032N03SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC032N03S | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC031N06NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 15000 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |