收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSC030P03NS3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSC030P03NS3G

Infineon Technologies 8-PowerTDFN
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSC030P03NS3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSC031N06NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN 15000 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSC032N03S Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC032N03SG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC030N04NSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSC030N03MSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 20000 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC030N03LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSC030P03NS3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 345µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):186nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别