| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC028N06NS |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ： |
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| 简述：MOSF N CH 60V 23A TDSON-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC029N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC030N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC030N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 20000 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC028N06LS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 25000 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC027N04LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 12328 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC027N03SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
