型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC022N03S |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSC022N03SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC024N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC024NE2LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 9500 | MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC020N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 44084 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSC020N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSC020N025SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |