| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSB024N03LXG |
Infineon Technologies | 3-WDSON | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSB028N06NN3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 5000 | MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSB044N08NN3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 9412 | MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSB053N03LPG | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSB019N03LXG | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSB017N03LX3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 10000 | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSB015N04NX3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
