收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BS870-7-F
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BS870-7-F

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BS870-7-F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BS8P-SHF-1AA(LF)(SN) JST Sales America Inc CONN HEADER R/A 8POS NH ...
BSA223SP Infineon Technologies SC-75,SOT-416 MOSFET P-CH 20V 390MA SC75 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSB012N03LX3G Infineon Technologies 3-WDSON 5000 MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BS870-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BS803F7024 Rose Bopla BOX ABS 8.24X3.86X1.37" GRAY ...
BS800F7024 Rose Bopla 11 BOX ABS 8.24X3.86X1.37" GRAY ...

BS870-7-F参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):250mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别