收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BLT70,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BLT70,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:TRANS NPN 8V 250MA SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BLT70,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BLT80,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 10V 250MA SOT223 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
BLT81,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 4000 TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):9.5V 频率 - 转换...
BLU202 Matrix Orbital VFD FILTER BLUE 95.25MMX25.25MM ...
BLT50,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1913 TRANS NPN UHF 7.5V SOT223 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
BLS7G2933S-150,112 NXP Semiconductors SOT922-1 TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT922-1 晶体管类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.3GHz 增益:13.5dB...
BLS7G2325L-105,112 NXP Semiconductors TRANS RF PWR LDMOS 105W SOT502A ...

BLT70,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):8V
频率 - 转换:900MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:2.1W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 100mA,4.8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):250mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别