收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > BLS6G3135S-120,112
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BLS6G3135S-120,112

NXP Semiconductors SOT-502B
询价QQ:
简述:TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B
参考包装数量:20
参考包装形式:托盘

与BLS6G3135S-120,112相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BLS6G3135S-20,112 NXP Semiconductors SOT-608B TRANS S-BAND RADAR LDMOS SOT608B 晶体管类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:15.5dB...
BLS7G2325L-105,112 NXP Semiconductors TRANS RF PWR LDMOS 105W SOT502A ...
BLS7G2933S-150,112 NXP Semiconductors SOT922-1 TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT922-1 晶体管类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.3GHz 增益:13.5dB...
BLS6G3135-20,112 NXP Semiconductors SOT-608A TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A 晶体管类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:15.5dB...
BLS6G3135-120,112 NXP Semiconductors SOT-502A TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B 晶体管类型:LDMOS 频率:3.1GHz ~ 3.5GHz 增益:11dB 电...
BLS6G2933S-130,112 NXP Semiconductors SOT922-1 TRANS S-BAND RADAR LDMOS SOT922 晶体管类型:LDMOS 频率:2.9GHz ~ 3.3GHz 增益:12.5dB...

BLS6G3135S-120,112参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:3.1GHz ~ 3.5GHz
增益:11dB
电压 - 测试:32V
额定电流:7.2A
噪音数据:-
电流 - 测试:100mA
功率 - 输出:120W
电压 - 额定:60V

最近更新

型号类别