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首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BLS3135-65,114
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BLS3135-65,114

NXP Semiconductors SOT-422A 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANSISTOR RF POWER SOT422A
参考包装数量:4
参考包装形式:托盘

与BLS3135-65,114相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BLS6G2731-6G,112 NXP Semiconductors SOT-975C TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C 晶体管类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:15dB 电...
BLS6G2731P-200,117 NXP Semiconductors SOM038 TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038 晶体管类型:LDMOS 频率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:11dB 电...
BLS3135-50,114 NXP Semiconductors SOT-422A TRANSISTOR RF POWER SOT422A 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS3135-20,114 NXP Semiconductors SOT-422A TRANSISTOR RF POWER SOT422A 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS3135-10,114 NXP Semiconductors SOT-445C TRANSISTOR RF POWER SOT445C 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...

BLS3135-65,114参数资料

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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V
频率 - 转换:3.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:7dB
功率 - 最大:200W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 2A,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
安装类型:表面贴装

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