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首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > BLS2933-100,112
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BLS2933-100,112

NXP Semiconductors SOT-502A 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€n偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANS MICRO PWR LDMOS SOT502A
参考包装数量:20
参考包装形式:托盘

与BLS2933-100,112相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BLS3135-10,114 NXP Semiconductors SOT-445C TRANSISTOR RF POWER SOT445C 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS3135-20,114 NXP Semiconductors SOT-422A TRANSISTOR RF POWER SOT422A 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS3135-50,114 NXP Semiconductors SOT-422A TRANSISTOR RF POWER SOT422A 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS2731-50,114 NXP Semiconductors SOT-422A TRANSISTOR RF POWER SOT422A 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS2731-20,114 NXP Semiconductors SOT-445C TRANSISTOR RF POWER SOT445C 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...
BLS2731-110,114 NXP Semiconductors SOT-423A TRANSISTOR RF POWER SOT423A 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):75V 频率 - 转换:...

BLS2933-100,112参数资料

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晶体管类型:LDMOS
频率:2.9GHz ~ 3.3GHz
增益:8dB
电压 - 测试:32V
额定电流:12A
噪音数据:-
电流 - 测试:20mA
功率 - 输出:120W
电压 - 额定:65V

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