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首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > BLF6G10LS-200RN:11
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BLF6G10LS-200RN:11

NXP Semiconductors SOT-502B 26 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B
参考包装数量:20
参考包装形式:托盘

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BLF6G10LS-200RN:11参数资料

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晶体管类型:LDMOS
频率:871.5MHz ~ 891.5MHz
增益:20dB
电压 - 测试:28V
额定电流:49A
噪音数据:-
电流 - 测试:1.4A
功率 - 输出:40W
电压 - 额定:65V

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