收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > BLF6G10LS-160,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BLF6G10LS-160,118

NXP Semiconductors SOT-502B
询价QQ:
简述:IC BASESTATION FINAL SOT502B
参考包装数量:100
参考包装形式:带卷 (TR)

与BLF6G10LS-160,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BLF6G10LS-160RN,11 NXP Semiconductors SOT-502B 50 TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B 晶体管类型:LDMOS 频率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22...
BLF6G10LS-160RN:11 NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 晶体管类型:LDMOS 频率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22...
BLF6G10LS-200,112 NXP Semiconductors SOT-502B IC BASESTATION FINAL SOT502B 晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz 增益:20.2dB 电压 - 测...
BLF6G10LS-160,112 NXP Semiconductors SOT-502B IC BASESTATION FINAL SOT502B 晶体管类型:LDMOS 频率:1GHz 增益:28dB 电压 - 测试:- 额定...
BLF6G10LS-135RN:11 NXP Semiconductors SOT-502B 15 TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B 晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:21...
BLF6G10LS-135RN,11 NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 晶体管类型:LDMOS 频率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:21...

BLF6G10LS-160,118参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:1GHz
增益:28dB
电压 - 测试:-
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:-
功率 - 输出:-
电压 - 额定:-

最近更新

型号类别