收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFU730F,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFU730F,115

NXP Semiconductors SOT-343F 3000
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN SOT343F
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFU730F,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFU760F,115 NXP Semiconductors SOT-343F 3000 TRANSISTOR NPN SOT343F 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2.8V 频率 - 转换...
BFU790F,115 NXP Semiconductors SOT-343F 3000 TRANSISTOR NPN SOT343F 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2.8V 频率 - 转换...
BFX34 STMicroelectronics TO-205AD,TO-39-3 金属罐 TRANSISTOR NPN 120V 5A TO-39 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - 集电极发...
BFU725F,115 NXP Semiconductors SOT-343F TRANS NPN 20GHZ SOT343F 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2.8V 频率 - 转换...
BFU710F,115 NXP Semiconductors SOT-343F 3000 TRANSISTOR NPN SOT343F 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2.8V 频率 - 转换...
BFU690F,115 NXP Semiconductors SOT-343F 3000 TRANSISTOR NPN SOT343F 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5.5V 频率 - 转换...

BFU730F,115参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):2.8V
频率 - 转换:55GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
增益:-
功率 - 最大:197mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):205 @ 2mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别