收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFS360L6E6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFS360L6E6327

Infineon Technologies 6-XFDFN
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 6V 35MA TSLP-6
参考包装数量:15000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFS360L6E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFS380L6E6327 Infineon Technologies 6-XFDFN TRANSISTOR GP BJT NPN 6V TSLP-6 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):9V 频率 -...
BFS386L6E6327 Infineon Technologies 6-XFDFN TRANSISTOR ARRAY DUAL NPN TSLP-6 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V 频率 -...
BFS460L6E6327 Infineon Technologies 6-XFDFN TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5.8V 频率...
BFS25A,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANS NPN 5V 6.5MA SOT323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5V 频率 - 转换:5...
BFS20W,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 9000 TRANS NPN 20V 25MA SOT323 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):25mA 电压 - 集电...
BFS200-48 Iccnexergy PWR SUPP LINEAR 48V 200W ...

BFS360L6E6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电压 - 集电极发射极击穿(最大):9V
频率 - 转换:14GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
增益:10dB ~ 14.5dB
功率 - 最大:210mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 15mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别