收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFR720L3RHE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFR720L3RHE6327

Infineon Technologies SC-101,SOT-883
询价QQ:
简述:TRANS RF NPN 4V 20MA TSLP-3
参考包装数量:15000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFR720L3RHE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFR740L3E6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANSISTOR RF NPN 4V TSLP-3 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFR740L3RHE6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANS RF BIPO NPN 30MA TSLP-3 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFR750L3RHE6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANS RF BIPO NPN 90MA TSLP-3-9 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFR705L3RHE6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFR540,235 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 15V 120MA 9GHZ SOT23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
BFR540,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANS NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...

BFR720L3RHE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V
频率 - 转换:45GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
增益:24dB
功率 - 最大:80mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 13mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):20mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别