收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFQ67W,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFQ67W,115

NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 3000
询价QQ:
简述:TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFQ67W,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFQ67W,135 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
BFR106,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 78000 TRANS NPN 15V 5GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
BFR106E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
BFQ67,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 TRANS NPN 50MA 10V 8GHZ SOT23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
BFQ591,115 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
BFQ540,115 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN 12V 9GHZ SOT89 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...

BFQ67W,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V
频率 - 转换:8GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益:-
功率 - 最大:300mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 15mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别