收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFP740FH6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFP740FH6327

Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFP740FH6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFP740H6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 3000 TRANS RF NPN 42GHZ 4V SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4V 频率 - 转换:4...
BFQ149,115 NXP Semiconductors TO-243AA 3000 TRANS PNP 15V 100MA SOT89 晶体管类型:PNP 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
BFQ18A,115 NXP Semiconductors TO-243AA 3000 TRANS NPN 18V 150MA SOT89 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):18V 频率 - 转换:...
BFP740FESDH6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFP740FESDE6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BFP740FE6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANSISTOR RF NPN 30MA TSFP-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...

BFP740FH6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V
频率 - 转换:42GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益:27.5dB
功率 - 最大:160mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别