收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFP650E6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFP650E6327

Infineon Technologies SC-82A,SOT-343
询价QQ:
简述:TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFP650E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFP650FE6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP650FH6327 Infineon Technologies 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 42GHZ 4V TSFP-4 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP650H6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 3000 TRANS RF NPN 4V 150MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP650 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS NPN RF 4V 150MA SOT-343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640H6433 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...
BFP640H6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 6000 TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V 频率 - 转换...

BFP650E6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.5V
频率 - 转换:37GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益:10.5dB ~ 21.5dB
功率 - 最大:500mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):110 @ 80mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):150mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别