收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BFP196RE6501
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BFP196RE6501

Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA
询价QQ:
简述:TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BFP196RE6501相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BFP196WE6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
BFP196WH6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 12V 150MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
BFP405E6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5V 频率 - 转换:2...
BFP196RE6327 Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA TRANS RF NPN 12V 150MA SOT143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
BFP196E6327 Infineon Technologies TO-253-4,TO-253AA TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
BFP193WH6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 12V 80MA SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...

BFP196RE6501参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:7.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益:10.5dB ~ 16.5dB
功率 - 最大:700mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 50mA,8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):150mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别