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BFG35,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1000
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简述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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BFG35,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):18V
频率 - 转换:4GHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:1W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 100mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):150mA
安装类型:表面贴装

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