收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > BF776E6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BF776E6327

Infineon Technologies SC-82A,SOT-343
询价QQ:
简述:TRANS RF NPN 1.8GHZ 4.0V SOT343
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BF776E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BF776H6327 Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 1.8GHZ 4.0V SOT343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换...
BF799E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V 频率 - 转换:...
BF799WE6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V 频率 - 转换:...
BF775E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V 频率 - 转换:...
BF771E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
BF770AE6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...

BF776E6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V
频率 - 转换:46GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益:24dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):180 @ 30mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别