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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > BDV64BG
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BDV64BG

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简述:TRANS DARL PNP 100V 10A TO218
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与BDV64BG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BDV65B ON Semiconductor TO-218-3 TRANS DARL NPN 100V 10A TO-218 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A 电压...
BDV65BG ON Semiconductor TO-218-3 732 TRANS DARL NPN 100V 10A TO218 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A 电压...
BDW23ATU Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR NPN 60V 6A TO-220 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A 电压 - 集电极发...
BDV64B ON Semiconductor TO-218-3 TRANS DARL PNP 100V 10A TO-218 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A 电压...
BDTSF6 Cooper Bussmann TERMINAL SHROUDS 600/800A 600V ...
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BDV64BG参数资料

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晶体管类型:PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 20mA,5A
电流 - 集电极截止(最大):1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 5A,4V
功率 - 最大:125W
频率 - 转换:-
安装类型:通孔

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