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BD682

STMicroelectronics TO-225AA,TO-126-3 1974
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简述:TRANSISTOR DARL PNP SOT-32
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与BD682相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BD682G ON Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 3357 TRANS DARL PNP 4A 100V TO225AA 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 ...
BD682S Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 3998 TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 ...
BD682STU Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 3830 TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 ...
BD681STU Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 1873 TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 ...
BD681S Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 1812 TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 ...
BD681G ON Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 7331 TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A 电压 ...

BD682参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):2.5V @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大):500µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):750 @ 1.5A,3V
功率 - 最大:40W
频率 - 转换:-
安装类型:通孔

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