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BCW66GLT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9429
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简述:TRANS NPN GP 45V 800MA SOT-23
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCW66GLT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+370000 TRANS GP NPN 45V 800MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA 电压 - 集...
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BCW66GLT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):20nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 100mA,1V
功率 - 最大:225mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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