收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > BCR169TE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BCR169TE6327

Infineon Technologies SC-75,SOT-416
询价QQ:
简述:TRANSISTOR PNP DGTL AF SC-75
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BCR169TE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCR169WE6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP DIGITAL SOT-323 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR169WH6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANS PNP DGTL 50V 100MA SOT323 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR16CM-12LA#B00 Renesas Electronics America TO-220-3 305 TRIAC 600V 16A TO-220 三端双向可控硅开关类型:标准 电压 - 断路:600V 电流 - 导通状态 (I...
BCR169SH6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP DGTL 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR169SE6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR169L3E6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

BCR169TE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:200MHz
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别