收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > BCR151FE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BCR151FE6327

Infineon Technologies SOT-723
询价QQ:
简述:TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BCR151FE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCR151L3E6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA 电...
BCR151TE6327 Infineon Technologies SC-75,SOT-416 TRANSISTOR PNP DGTL AF SC-75 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA 电...
BCR153FE6327 Infineon Technologies SOT-723 TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR149TE6327 Infineon Technologies SC-75,SOT-416 TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):70mA 电...
BCR149L3E6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):70mA 电...
BCR149FE6327 Infineon Technologies SOT-723 TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):70mA 电...

BCR151FE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:120MHz
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别