收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > BCR141SE6727
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BCR141SE6727

Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BCR141SE6727相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCR141SH6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR141SH6727 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR141TE6327 Infineon Technologies SC-75,SOT-416 TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR141SE6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR141L3E6327 Infineon Technologies SC-101,SOT-883 TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR141FE6327 Infineon Technologies SOT-723 TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

BCR141SE6727参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:130MHz
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别