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BCR135TE6327

Infineon Technologies SC-75,SOT-416
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简述:TRANSISTOR NPN DGTL AF SC-75
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BCR135TE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCR135WE6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR135WH6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT323 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR139FE6327 Infineon Technologies SOT-723 TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
BCR135SH6827 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR135SH6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
BCR135SE6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

BCR135TE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:150MHz
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

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