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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > BCP56T3G
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BCP56T3G

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简述:TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223
参考包装数量:1
参考包装形式:

与BCP56T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCP56TA Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA 3000 TRANS NPN BIPOL 80V 1A SOT223-4 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
BCP68 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT-223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
BCP68,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 4604 TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
BCP56T1G ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA 46000 TRANS NPN AUDIO 1A 80V SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
BCP56T1 ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN AUDIO 1A 80V SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
BCP5616TC Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN MED PWR SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...

BCP56T3G参数资料

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晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 150mA,2V
功率 - 最大:1.5W
频率 - 转换:130MHz
安装类型:表面贴装

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