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BC847BLT1

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANS NPN LP 100MA 45V SOT23
参考包装数量:10
参考包装形式:剪切带 (CT)

与BC847BLT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BC847BLT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 198000 TRANS NPN LP 100MA 45V SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
BC847BLT3 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
BC847BLT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 38965+60000 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
BC847BLP-7B Diodes Inc 3-UFDFN 10000 TRANS NPN 45V 100MA DFN1006-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
BC847BLP-7 Diodes Inc 3-XFDFN 7211 TRANSISTOR NPN BIPOL 3-DFN 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
BC847BLP4-7B Diodes Inc 3-XFDFN 10000 TRANS NPN 45V 100MA DFN1006H4-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...

BC847BLT1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V
功率 - 最大:225mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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