收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > BBY58-06WE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BBY58-06WE6327

Infineon Technologies SC-70,SOT-323
询价QQ:
简述:DIODE TUNING HIGH Q CA SOT-323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BBY58-06WE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BBY58-06WH6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 DIODE TUNING 10V 20MA SOT323 电容@ Vr, F:5.5pF @ 6V,1MHz 电容比:3.5 电容比条件:...
BBY59-02VE6327 Infineon Technologies SC-79,SOD-523 DIODE TUNING 15V 50MA SC-79 电容@ Vr, F:7.8pF @ 4V,1MHz 电容比:4.6 电容比条件:...
BBY61-02LSE6327 Infineon Technologies 2-XFDFN DIODE RF TUNING 10V 20MA TSSLP-2 电容@ Vr, F:- 电容比:2.45 电容比条件:- 电压 - 峰值反向(最...
BBY58-05WH6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 DIODE TUNING 10V 20MA SOT323 电容@ Vr, F:5.5pF @ 6V,1MHz 电容比:3.5 电容比条件:...
BBY58-05WE6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323 电容@ Vr, F:5.5pF @ 6V,1MHz 电容比:3.5 电容比条件:...
BBY58-03WE6327 Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323 电容@ Vr, F:5.5pF @ 6V,1MHz 电容比:3.5 电容比条件:...

BBY58-06WE6327参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:5.5pF @ 6V,1MHz
电容比:3.5
电容比条件:C1/C4
电压 - 峰值反向(最大):10V
二极管类型:1 对共阳极
在 Vr、F 时的 Q 值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别