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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > BBY51E6433
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BBY51E6433

Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE TUNING 7V 20MA SOT-23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BBY51E6433相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BBY52-02LE6327 Infineon Technologies 2-SMD,无引线 DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 电容@ Vr, F:1.45pF @ 4V,1MHz 电容比:2.1 电容比条件...
BBY52-02LE6816 Infineon Technologies 2-SMD,无引线 DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 电容@ Vr, F:1.45pF @ 4V,1MHz 电容比:2.1 电容比条件...
BBY52-02WE6327 Infineon Technologies SC-80 DIODE TUNING 7V 20MA SCD-80 电容@ Vr, F:1.45pF @ 4V,1MHz 电容比:2.1 电容比条件...
BBY51E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING 7V 20MA SOT-23 电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:...
BBY51-03WE6327 Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE TUNING 7V 20MA SOD-323 电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:...
BBY51-02WH6327 Infineon Technologies SC-80 DIODE TUNING 7V 20MA SCD80 电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:...

BBY51E6433参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz
电容比:2.2
电容比条件:C1/C4
电压 - 峰值反向(最大):7V
二极管类型:1 对共阴极
在 Vr、F 时的 Q 值:-
安装类型:表面贴装

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