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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > BB814B6327GR1
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BB814B6327GR1

Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
参考包装数量:30000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BB814E6327GR1 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 电容@ Vr, F:22.7pF @ 8V,1MHz 电容比:2.25 电容比条...
BB814E6327GR2 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 电容@ Vr, F:22.7pF @ 8V,1MHz 电容比:2.25 电容比条...
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BB804SF3E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 电容@ Vr, F:47.5pF @ 2V,1MHz 电容比:1.71 电容比条...
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BB814B6327GR1参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:22.7pF @ 8V,1MHz
电容比:2.25
电容比条件:C2/C8
电压 - 峰值反向(最大):18V
二极管类型:1 对共阴极
在 Vr、F 时的 Q 值:200 @ 2V,100 MHz
安装类型:表面贴装

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