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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > BB659CH7912
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BB659CH7912

Infineon Technologies SC-80
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简述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BB659CH7912相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BB659E7902 Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80 电容@ Vr, F:2.9pF @ 28V,1MHz 电容比:14.7 电容比条...
BB659E7908 Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80 电容@ Vr, F:2.9pF @ 28V,1MHz 电容比:14.7 电容比条...
BB659H7902 Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 电容@ Vr, F:2.9pF @ 28V,1MHz 电容比:14.7 电容比条...
BB659CH7903 Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 电容@ Vr, F:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比...
BB659CH7902 Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 电容@ Vr, F:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比...
BB659CE7912 Infineon Technologies SC-80 DIODE VARIABLE 30V 20MA SCD-80 电容@ Vr, F:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比...

BB659CH7912参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:2.75pF @ 28V,1MHz
电容比:15.3
电容比条件:C1/C28
电压 - 峰值反向(最大):30V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:-
安装类型:表面贴装

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