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BAS35

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000+105000
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简述:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BAS35,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 DIODE AVAL SW 90V 250MA SOT-23 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 200mA 电流 - ...
BAS40,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT-23 二极管类型:肖特基 电压 - (Vr)(最大):40V 电流 - 平均整流 (I...
BAS40,235 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT-23 二极管类型:肖特基 电压 - (Vr)(最大):40V 电流 - 平均整流 (I...
BAS32L,135 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE SW 75V 200MA H-S SOD80C 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
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BAS321,135 NXP Semiconductors SC-76,SOD-323 DIODE GP 200V 250MA SOD-323 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (I...

BAS35参数资料

PDF资料下载:

电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 90V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):200mA
电压 - (Vr)(最大):120V
反向恢复时间(trr):50ns
二极管类型:标准
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置:1 对共阳极
安装类型:表面贴装

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