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BAS21-V-GS08

Vishay Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000
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简述:DIODE SS FAST 250V 200MA SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BAS21-V-GS08相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BAS21W,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 DIODE SW 200V 200MA HS UMT3 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):250V 电流 - 平均整流 (I...
BAS21W-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 DIODE SWITCH 200V 200MW SC70-3 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (I...
BAS21W-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 12000 DIODE SWITCH 200V 200MW SC70-3 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):200V 电流 - 平均整流 (I...
BAS21VD,165 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 DIODE SWITCH DUAL 200V 6TSOP 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 200mA 电流...
BAS21VD,135 NXP Semiconductors SC-74,SOT-457 10000 DIODE SW ARRAY 200V 200MA 6TSOP 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 200mA 电流...
BAS21UE6433 Infineon Technologies SC-74,SOT-457 DIODE SWITCHING 200V SC-74 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 200mA 电流...

BAS21-V-GS08参数资料


二极管类型:标准
电压 - (Vr)(最大):200V
电流 - 平均整流 (Io):200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 200mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr):50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 200V
电容@ Vr, F:5pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装

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