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BAS16H,115

NXP Semiconductors SOD-123F 21000
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简述:DIODE SWITCH 100V 215MA SOD-123
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BAS16H,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BAS16HT1 ON Semiconductor SC-76,SOD-323 DIODE SWITCH 200MA 75V SOD323 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16HT1G ON Semiconductor SC-76,SOD-323 69000+5043000 DIODE SWITCH 200MA 75V SOD323 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16HT3G ON Semiconductor SC-76,SOD-323 0+260000 DIODE SWITCH 200MA 75V SOD-323 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16-G Comchip Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE 75V 200MA SOT23 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16E6433 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SW GP 80V 250MA SOT-23 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):80V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 69000 DIODE SWITCHING 85V SOT-23 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):80V 电流 - 平均整流 (Io...

BAS16H,115参数资料

PDF资料下载:

二极管类型:标准
电压 - (Vr)(最大):100V
电流 - 平均整流 (Io):215mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr):4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电:500nA @ 80V
电容@ Vr, F:1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装

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