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BAS116TT1G

ON Semiconductor SC-75,SOT-416 0+2478000
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简述:DIODE SWITCH 200MA 75V SC75-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BAS116TT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BAS116UDJ-7 Diodes Inc SOT-963 10000 DIODE ARRAY 85V 215MA SOT963 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.35V @ 150mA 电流...
BAS116V-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 DIODE LL 150MW 85V SOT-563 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA 电流...
BAS125-04WE6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 DIODE SCHOTTKY SERIES SOT-323 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):950mV @ 35mA 电流 ...
BAS116T-7-F Diodes Inc SOT-523 21000 DIODE SWITCH 85V 150MW SOT523 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):85V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS116T-7 Diodes Inc SOT-523 DIODE SWITCH 85V 150MW SOT-523 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):85V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS116T,115 NXP Semiconductors SC-75,SOT-416 DIODE SW SGL LOW LEAK SOT416 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...

BAS116TT1G参数资料

PDF资料下载:

二极管类型:标准
电压 - (Vr)(最大):75V
电流 - 平均整流 (Io):200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr):3µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电:5nA @ 75V
电容@ Vr, F:2pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装

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