收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ATP218-TL-H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ATP218-TL-H

ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ATP218-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ATP245SM CTS-Frequency Controls 4-SOJ,9.40mm 间距 CRYSTAL 24.576 MHZ SERIES SMD 类型:MHz 晶体 频率:24.576MHz 频率稳定性:±50p...
ATP301-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP302-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP216-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+3000 MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP214-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+3000 MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP213-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ATP218-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 50A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):70nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6600pF @ 10V
功率 - 最大值:60W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别