收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ATP112-TL-H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ATP112-TL-H

ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+6000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ATP112-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ATP113-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+36000 MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
ATP114-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 0+3000 MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ATP120SM CTS-Frequency Controls 4-SOJ,9.40mm 间距 CRYSTAL 12.0000 MHZ SERIES SMD 类型:MHz 晶体 频率:12MHz 频率稳定性:±50ppm 频...
ATP111SM CTS-Frequency Controls 4-SOJ,9.40mm 间距 CRYSTAL 11.0592 MHZ 20PF SMD 类型:MHz 晶体 频率:11.0592MHz 频率稳定性:±50...
ATP10ASM CTS-Frequency Controls 4-SOJ,9.40mm 间距 CRYSTAL 10.000 MHZ 20PF SMD 类型:MHz 晶体 频率:10MHz 频率稳定性:±50ppm 频...
ATP108-TL-H ON Semiconductor ATPAK(2 引线 + 接片) 7 MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ATP112-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1450pF @ 20V
功率 - 最大值:40W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别