收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM60A11FT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM60A11FT1G

Microsemi Power Products Group SP1
询价QQ:
简述:MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM60A11FT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM60A23FT1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM60H23FT1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTML100U60R020T1AG Microsemi Power Products Group SP1 18 MOSFET PWR MOD 100V 20A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50UM25SG Microsemi Power Products Group J3 模块 MOSFET N-CH 500V 149A J3 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50UM19SG Microsemi Power Products Group J3 模块 MOSFET N-CH 500V 163A J3 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50UM13SAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 500V 335A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM60A11FT1G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(半桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:132 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:330nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:10552pF @ 25V
功率 - 最大:390W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别