收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM50UM09FAG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM50UM09FAG

Microsemi Power Products Group SP6 8
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 497A SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM50UM09FAG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM50UM13SAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 500V 335A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50UM19SG Microsemi Power Products Group J3 模块 MOSFET N-CH 500V 163A J3 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50UM25SG Microsemi Power Products Group J3 模块 MOSFET N-CH 500V 149A J3 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50TDUM65PG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路) FET 特点:标准 漏极至源极电压(...
APTM50TAM65FPG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路) FET 特点:标准 漏极至源极电压(...
APTM50SKM38TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM50UM09FAG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:497A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 248.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 30mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:63300pF @ 25V
功率 - 最大:5000W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别