收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM50SKM19G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM50SKM19G

Microsemi Power Products Group SP6
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 163A SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM50SKM19G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM50SKM35TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 500V 99A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50SKM38TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 500V 90A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50TAM65FPG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路) FET 特点:标准 漏极至源极电压(...
APTM50SKM17G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 500V 180A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM50HM75STG Microsemi Power Products Group SP4 118 MOSFET MOD FULL BRDG SER/PAR SP4 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM50HM75SCTG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MOD FULL BRDG SER/SIC SP4 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...

APTM50SKM19G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:163A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22.5 毫欧 @ 81.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:492nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:22400pF @ 25V
功率 - 最大:1136W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别