收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM50DHM65TG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM50DHM65TG

Microsemi Power Products Group SP4
询价QQ:
简述:MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM50DHM65TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM50DHM75TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4 FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
APTM50DSK10T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM50DSKM65T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM50DHM38G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6 FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
APTM50DHM35G Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6 FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
APTM50DDAM65T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

APTM50DHM65TG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(非对称桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:51A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:78 毫欧 @ 25.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7000pF @ 25V
功率 - 最大:390W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别