型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTM20DHM10G |
Microsemi Power Products Group | SP6 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 参考包装数量:1 参考包装形式:散装 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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APTM20DHM16TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 | FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds... | |
APTM20DHM20TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 | FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds... | |
APTM20DUM04G | Microsemi Power Products Group | SP6 | MOSFET MOD DUAL COM SRC 200V SP6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
APTM20DHM08G | Microsemi Power Products Group | SP6 | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6 | FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds... | |
APTM20DAM10TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... | |
APTM20DAM08TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电... |