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APTM20DHM10G

Microsemi Power Products Group SP6
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简述:MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM20DHM10G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTM20DHM10G参数资料

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FET 型:2 N 沟道(非对称桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:175A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 87.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:224nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:13700pF @ 25V
功率 - 最大:694W
安装类型:底座安装

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